微細化・高精度化のために、各プロセスをどうするか―ノウハウを掴もう！

執筆者一覧（敬称略）

• 永原　誠司(東京エレクトロン(株))
• 吉原　孝介(東京エレクトロン(株))
• 関口　淳(リソテックジャパン(株))
• 田辺　将人(凸版印刷(株))
• 佐口　琢哉(ヘンケルジャパン(株))
• 堀　勝・石川　健治(名古屋大学)
• 藤田　雅之((財)レーザー技術総合研究所)
• 田中　初幸(AZエレクトロニックマテリアルズ(株))
• 堀邊　英夫(金沢工業大学)
• 南朴木　孝至(シャープマニファクチャリングシステム(株))
• 和田　充洋(セイコーエプソン(株))
• 河野　昭彦(金沢工業大学)
• 河合　晃(長岡技術科学大学)
• 渡邊　健夫(兵庫県立大学)
• 樽谷　晋司(富士フイルム(株))
• 中村　剛(東京応化工業(株))
• 杉江　紀彦(JSR(株))
• 東　司((株)東芝　研究開発センター)
• 富田　宏朗(旭化成イーマテリアルズ(株))
• 江刺　正喜(東北大学)
• 藤城　光一(新日鐵化学(株))
• 高橋　謙作(ソニー(株))

目次

第1章　レジストプロセス最適化のための要点と手法―光学像の準備―
1.レジストプロセス最適化概要
　1.1 リソグラフィ工程の流れとレジストプロセス
　1.2 リソグラフィの技術トレンド
　1.3 レジストプロセス最適化の手順
2.良い光学像を得るための基本的手法
　2.1 マスク上の情報がウェーハ上に伝達される条件
　2.2 解像度を向上するための基本的手法
3.光学像の質を改善する方法
　3.1 光学像の質を表す指標
　　3.1.1 コントラスト
　　3.1.2 NILS
　3.2 照明形状最適化
　3.3 偏光照明適用
4.レジストプロセスのフォーカス裕度(DOF)を改善する手法
　4.1 3光束結像の条件でのデフォーカスの影響、DOF拡大方法
　4.2 2光束結像の条件でのDOFの拡大方法
5.マスク技術、光近接効果補正（OPC）技術の選択
　5.1 マスクの選定
　5.2 OPC技術の最適化
　5.3 SRAF技術の最適化
6.露光条件の総合的な最適化
　6.1 プロセスウィンドウ
　6.2 リソグラフィシミュレーションによる多数のパターンに関する照明条件の最適化
　6.3 ソースマスクオプティマイゼーション（SMO）技術による最適化
7.レイヤー別の要求
　7.1 設計基準を満たすレジストプロセス選定
　　7.1.1 使える露光機を前提にレジストプロセスを選定
　　7.1.2 シングルパターニングかマルチパターニングか
　7.2 レイヤー個別のプロセス要求を満たす技術の選択
　7.3 レジストプロセスの負荷を低減するリソグラフィフレンドリーな設計（DFM）
　7.4 リソグラフィ・インテグレーション・設計の技術者間の連携

第2章 レジストプロセス最適化のための要点と手法―材料選択、プロセス改善手法―
1.レジスト材料選択基準
　1.1 レジストの種類の選定
　　1.1.1 露光技術の種類に応じたレジストの選定
　　1.1.2 レジストのトーンの選定（ポジ型レジストプロセスかネガ型レジストプロセスか）
　　1.1.3 非化学増幅型レジストか化学増幅型レジストか
　　1.1.4 ドライリソグラフィ用レジストか液浸リソグラフィ用レジストか
　　1.1.5 基板との親和性、反射防止をどうするか、BARCを使うか、使わないか
　1.2 レジストの選定基準
　　1.2.1 プロセスウィンドウ（DOF、EL）、パターン間の共通プロセスウィンド ウ、最適露光量（Eop）
　　1.2.2 倒れマージン、抜けマージン
　　1.2.3 CDのウェーハ面内均一性（CDU）
　　1.2.4 ラインエッジラフネス（LER）・ライン幅ラフネス（LWR）、ホール真円度
　　1.2.5 マスクエラーエンハンスメントファクター（MEEF）
　　1.2.6 欠陥数
　　1.2.7 光近接効果
　　1.2.8 レジスト形状評価（レジスト残膜、側壁角、すそ引き、くびれ、トップ形状）
　　1.2.9 PEB感度
　　1.2.10 露光後引き置きに対する寸法影響
　　1.2.11 エッチング耐性、イオン注入耐性
　　1.2.12 保管安定性
　　1.2.13 クリーンルームでの使用に適しているか
　　1.2.14 リーチング、アウトガス
　　1.2.15 コスト
　1.3 レジスト処理条件の最適化
　　1.3.1 塗布（膜厚均一性、EBR処理）
　　1.3.2 プリベーク温度
　　1.3.3 ポストエクスポージャベーク（PEB）温度の最適化
　　1.3.4 現像条件、リンス条件の最適化
　　1.3.5 環境の管理（温度、湿度、化学的不純物濃度の管理）
　　1.3.6 PEB温度・ドーズ量マッピングによるウェーハ内CD制御
　　1.3.7 界面活性剤含有リンスの効果、TBAH現像の効果
　　1.3.8 欠陥低減
　　1.3.9 露光前裏面洗浄によるフォーカスホットスポット低減
2.レジスト下層膜材料選択基準
　2.1 下層反射防止膜（BARC）選定基準
　　2.1.1 BARCの光学定数（n/k値）、膜厚の選択9)
　　2.1.2 マッチング特性
　　2.1.3 EBRの形状
　　2.1.4 エッチング速度
　　2.1.5 昇華物
　　2.1.6 塗布形状、フィリング特性（プラナータイプかコンフォーマルタイプか）
　2.2 現像液可溶型BARC選定基準　
　2.3 多層レジストプロセス用シリコン含有BARC選定基準
　2.4 多層レジストプロセス用下層レジストの選択基準
3.上層反射防止膜（TARC）・液浸リソグラフィ用トップコート（TC）材料選択基準
　3.1 ドライリソグラフィ対応上層反射防止膜（TARC）材料選択基準
　　3.1.1 TARCのn/k値最適化
　　3.1.2 スイングカーブの振幅の低減効果
　　3.1.3 TARCとレジストとのマッチング、レジストの膜減り
　　3.1.4 CDU
　　3.1.5 TARCによる欠陥
　　3.1.6 TARC材料の環境負荷
　3.2 液浸リソグラフィ用トップコート（TC）材料選択基準
　　3.2.1 TCの膜厚、n/k値最適化
　　3.2.2 リーチング防止能
　　3.2.3 TCによる液浸欠陥確認
　　3.2.4 TCを使用した場合のリソグラフィ特性
4.レジストシュリンク剤選定基準

第3章　塗布工程およびレジストプロセスの最適化手法
第1節　レジスト塗布の手法
1.レジスト塗布の手法と特徴
2.スピン塗布法
　2.1 回転円板上に発生する気流
　2.2 回転円板上の液流体
　2.3 レジスト溶剤の揮発・乾燥
3.露光世代別の塗布膜の材料種と積層構造の変遷
4.ウェハの大口径化とレジスト薄膜化

第2節　スピン塗布工程の最適化を目指した要点と対策
1.膜厚均一性に関わる因子と最適化策
2.塗布欠陥の分類と解消手法
　2.1 レジスト被覆不良
　2.2 放射状塗布ムラ
　2.3 球状欠陥
　2.4 ピンホール状欠陥
3.レジスト塗布後の乾燥ベーク工程
4.レジスト密着性の向上

第4章　露光 工程の手法およびレジスト・レジストパターンへの影響
第1節　露光工程の最適化を目指したプロセスと評価技術
第1項　g線・I線による露光のプロセスと評価
1.露光装置の概要−縮小投影露光装置 ステッパおよびスキャナーによる露光
2.露光技術
　2.1 ステッパの光学
　2.2 高解像化へのアプローチ
　　2.2.1 高NA化の効果
　　2.2.2 斜入射照明
　　2.2.3 位相シフト露光法
　2.3 フォトレジストの感光の原理とABCパラメータ

第2項　ArF液浸露光およびプロセス評価
1.液浸露光技術の課題
2.液浸露光装置および反応解析システム
3.液浸リソグラフィ用レジスト材料の評価
　3.1 液浸対応レジストの現像特性の評価
　3.2 レジストからのアウトガスの評価
　3.3 液浸露光中のレジスト膜の質量分析
4.実験
　4.1 液浸対応レジストの感度の比較
　4.2 液浸液の分析
　4.3 液浸露光中のレジストの質量変化　

第3項　ダブルパターニング露光およびプロセス評価
1.ダブルパターニング露光
2.LLE法
3.ダブルパターニングのプロセス評価

第4項　EUVによる露光およびプロセス評価
1.EUVリソグラフィとその課題
2.EUV露光装置およびシミュレーションシステムの構成
3.実験および結果
4.シミュレーション

第2節　フォトマスクの設計と開発
1.フォトマスクによる超解像技術
　1.1 光近接効果補正（OPC：Optical Proximity Correction）
　1.2 位相シフトマスク
　1.3 SMO（Source Mask Optimization）
　1.4 液浸露光
　1.5 ダブルパターニング
　1.6 EUVマスク（EUV：Extreme Ultra Violet）
2.フォトマスクにおける微細化・高精度化技術
　2.1 成膜
　2.2 レジストコート
　2.3 描画
　2.4 PEB（Post Exposure Bake）
　2.5 現像
　2.6 エッチング
　2.7 レジスト剥離・洗浄
　2.8 検査
　2.9 修正・パターン評価
　2.10 洗浄・異物検査
　2.11 ペリクル貼り付け

第3節　露光工程の最適化を目指したプロセス解析技術
第1項　化学増幅レジストの脱保護反応の解析
1.ハードウェハの変更
2.従来モデルの問題点とSpenceモデルの検討
　2.1 従来モデルの問題点
　2.2 Spenceらのモデル
3.実験及び結果
　3.1 露光中の反応
　3.2 PEB中の脱保護反応
4.新規な脱保護反応モデルの提案と脱保護反応の解析

第2項　露光中のレジストからのアウトガスの影響と分析方法
1.QCMモニターによる露光中のレジストの質量変化の観察
2.GC-MSによる露光中のレジストから生じるアウトガスの分析
　2.1 露光中のアウトガスの補足
2.2 露光中のレジストから生ずるアウトガスの分析
3.FT-IRによる露光中の脱保護反応の観察
4.実験および結果
　4.1 QCMによる露光中アウトガスの観察
　4.2 GC-MSによるアウトガス成分の分析
　4.3 FT-IRによる露光中のレジストの脱保護反応の観察

第3項　液浸露光におけるレジストからのリーチングの影響と分析方法
1.WEXA-2システムの概要とサンプリング方法
　1.1 WEXA-2システムの概要
　1.2 サンプリング方法
2.分析および解析
　2.1 検量線の作成
　　2.1.1 カチオン（トリフェニルスルフォニウムイオン）の検量線
　　2.1.2 アニオン（パーフルオロブタンスルホン酸）の検量線
　2.2 LC/MS/MS分析
　　2.2.1 トリフェニルスルフォニウムイオン（カチオン）分析条件
　　2.2.2 パーフルオロブタンスルホン酸（アニオン）分析条件
　2.3 動的なリーチング特性の解析
3.システムの検証
4.実験

第4項　EUV露光におけるレジストからのアウトガスの分析方法
1.アウトガス評価装置の概要
2.アウトガス評価装置　EUVOM-9000

第5章　現像手法・現像液各種およびレジスト・レジストパターンへの影響
　　　　　　〜現像液がレジストパターンへ与える影響〜
1. 現像液の種類と各現像液がレジストへ与える影響
　1.1 ポジレジスト現像液
　1.2 カラーレジスト現像液
　1.3 ドライフィルムレジスト現像液
2.現像液管理手法

第6章　エッチング 工程の手法およびレジスト・レジストパターンへの影響
第1節　エッチング手法・装置各種およびレジスト・レジストパターンへの影響
1.ドライエッチング
2.プラズマエッチング
3.ウェットエッチング
4.レジスト材料について

第2節　エッチング工程の最適化を目指した要点と対策
1.抜け不良の対策
2.エッチャントの影響
3.エッチング幅のバラツキ対策

第7章　剥離 工程の手法およびレジスト・レジストパターンへの影響
第1節　レーザーを用いたレジストの除去
1.レーザーを用いたレジストの除去と剥離
　1.1 光化学反応を用いたレジスト除去
　1.2 レーザーアブレーションを用いたレジスト除去
　1.3 パルスレーザーを用いたレジスト剥離
2.レーザーレジスト剥離装置
3.剥離実験結果
　3.1 レーザーパルス幅依存性
　3.2 基板材料依存性
4.従来技術との比較

第2節　レジスト剥離液各種およびレジスト・レジストパターンへの影響
1.剥離液によるレジスト剥離のメカニズム
2.レジスト別に見る剥離液の特徴
　2.1 ポジレジスト剥離液
　2.2 ドライフィルムレジスト剥離液
　　2.2.1 サブトラクティブプロセスの剥離液
　　2.2.2 セミアディティブプロセス用剥離液
　2.3 有機膜再生用剥離液

第3節　剥離工程の最適化を目指した技術
1.レジスト剥離工程
　1.1 レジスト剥離工程の考え方
　1.2 剥離剤組成の変遷とレジスト
2.溶解・剥離のメカニズムと性能改善
　2.1 熱力学的観点での溶解現象
　2.2 溶解度パラメータ　
　2.3 界面活性効果によるぬれ・浸透作用
　2.4 外部エネルギーによる溶解・剥離向上
　2.5 超音波洗浄
3.レジスト剥離プロセス
　3.1 バッチ処理
　3.2 枚葉処理
4.剥離評価

第4節　新規なレジスト剥離技術−原子状水素によるレジストアッシング−
1.原子状水素発生装置、触媒体温度、基板温度
2.触媒体温度及び基板温度の測定結果
3.レジスト除去速度の基板温度やプリベーク温度依存性
4.イオン注入レジストの除去速度
5.短波長レジストの除去速度

第5節　レジスト除去方法の環境負荷低減および微細化対応技術
1.現行のレジスト除去方法
　1.1 フロントエンドの工程におけるレジスト除去方法
　1.2 バックエンドの工程におけるレジスト除去方法
2.超高濃度・高温オゾン水によるレジストの除去方法
　2.1 オゾン水の性質
　2.2 従来のオゾン水洗浄に対する課題
　2.3 超高濃度・高温オゾン水
　2.4 超高濃度・高温オゾン水によるレジストの除去効果
　　2.4.1 スピン洗浄（枚葉処理方式）
　　2.4.2 ディップ洗浄（バッチ処理方式）
　2.5 高濃度イオン注入による変質レジストの対応
3.超臨界流体によるレジストの除去方法
　3.1 超臨界流体の有効な物性
　3.2 添加剤の選定
　3.3 微細溝内部のレジスト除去効果
　　3.3.1 実験装置
　　3.3.2 処理条件
　　3.3.3 洗浄効果の比較

第8章　レジストの評価 手法とその精度向上〜高感度レジストの評価など〜
第1節　評価ポイントとその評価法
第1項　レーザーによるレジストの剥離性、およびレジストと基板との密着性について
1.実験方法
　1.1 レジスト塗布
　1.2 レーザー照射
　1.3 サイカス法を用いた剥離強度測定
　1.4 HMDS有無でのレジスト解像度評価
2.結果および考察
　2.1 レーザーによるレジスト剥離性
　2.2 HMDS処理の有無、プリベーク条件によるレジスト剥離性
　2.3 レジストと基板との密着性（サイカス法）
　2.4 HMDS有無によるレジスト解像度

第2項　レジスト密着性向上のための基板表面疎水化処理とその評価方法
1.微細パターン形成とレジスト密着性
2.レジスト密着性向上のための基板表面疎水化処理
3. 表面疎水化の評価
　3.1 接触角による評価
　3.2 表面分析による評価
　3.3 HMDS処理時間と表面状態
　3.4 HMDS処理条件毎の状態評価と工程分析
　3.5 評価上の注意点

第3項　溶媒の種類によるレジスト除去性について
1.溶剤によるレジスト除去の問題点とその解決
2.溶剤によるレジスト除去速度の簡便な評価方法
3.ネガ型レジストの架橋レベルの推定方法
4.炭酸エチレン，炭酸プロピレンによるネガ型レジストの除去
　4.1 レジスト露光量、溶剤温度と除去速度との関係　
　4.2 レジスト除去反応の活性化エネルギー
5.種々の溶剤によるネガ型レジストの除去速度の比較

第4項　拡張係数Sによる濡れ現象の評価
1.拡張係数Sによる塗液の広がり評価
2.拡張係数Sによる液中での塗膜および微粒子の付着評価

第5項　LER(ラインエッジラフネス) の評価
1.レジストパターンの凝集構造
2.LER構造解析

第6項　膜応力の評価
1.アンダーカット量による付着力評価
2.塗膜内の応力分布解析
3.塗膜パターン剥離と応力集中
　3.1 凹凸パターン
　3.2 開口パターン
　3.3 ラインパターン
　3.4 表面硬化層

第7項　浸透性の評価
1.レジストコーティング膜の抵抗測定方法
2.真空ベーク条件と塗膜内の残留溶剤量
3.TMAH現像液の浸透効果

第8項　乾燥・ベーク処理に起因するレジスト欠陥のメカニズムと評価
1.積層レジスト膜のクラック
2.局所剥離のポッピング
3.レジスト膜の表面硬化層
4.溶液との接触による環境応力亀裂（クレイズ）
5.ウォータマーク
6.乾燥むら
7.液体メニスカスの乾燥歪み

第2節　主な評価手法
第1項　AFM(原子間力顕微鏡)の分析・活用方法
1.原子間力顕微鏡の基本構成
2.レジストに関するAFMによる付着力測定例
　2.1 界面の実効付着面積
　2.2 フォースカーブとファンデルワールス相互作用
　2.3 表面処理層におけるファンデルワールス相互作用解析
　2.4 薄膜間の付着強度の推定
3.レジストパターンの付着性解析
　3.1 レジストパターンの付着要因
　3.2 DPAT法
　3.3 付着力の熱処理温度依存性
　3.4 付着力のパターンサイズ依存性
　3.5 溶液中でのパターン付着力の解析
　3.6 付着力のパターン形状依存性
4.レジストパターン上の微小気泡の性質と制御・解析
　4.1 レジストパターン上での気泡の捕獲と脱離
　4.2 レジストパターン内の気泡移動
　4.3 レジスト上のナノ気泡の剥離力測定

第2項　RDA(レジスト現像アナライザー)の使用方法、およびノボラック系ポジ型レジストのRDA評価
1.RDAの原理と使用方法
2.ノボラック系ポジ型レジストの概要とフォトリソグラフィにおける1つの問題点
3.ノボラック系ポジ型レジストのRDA評価
　3.1 レジスト調製
　3.2 現像特性

第9章　レジスト設計における性能向上のための技術
1.フォトレジスト組成の変遷
2.主なレジスト材料の課題と解決策
　2.1 ゴム系ネガレジスト
　2.2 ノボラック樹脂系ポジ型レジスト
　　2.2.1 ノボラック樹脂の改良ポイント
　　　a.モノマーの違いによるポリマーの立体構造
　　　b.モノマーの違いによるポリマーの親水性・疎水性
　　　c.分子量と分子量分布
　　2.2.2 感光材の改良ポイント
　　　d.感光材のエステル化率と添加量
　　　e.バラスト構造
　2.3 化学増幅型レジスト
　　2.3.1 化学増幅型レジストの開発経緯
　　2.3.2 化学増幅型レジストの課題
　　2.3.3 短波長化への対応（KrF光源からArF光源へ）
3.フォトリソグラフィープロセスによる高性能化の手法
　3.1 TARC(レジスト上層塗布型反射防止膜)技術
　　3.1.1 TARCによる反射防止効果
　　3.1.2 TARCによる欠陥低減効果
　3.2 BARC(レジスト下層塗布型反射防止膜)技術
　3.3 レジスト寸法縮小技術
4.おわりに(レジスト及び周辺材料の市場動向)

第10章　レジスト各種の特性およびプロセスにおける性能向上
第1節　ポジ系レジストの特性およびプロセスにおける性能向上
1.従来の光リソグラフィにおけるポジ型レジストの特性
2.レジストのline edge roughnessの低減について
3.レジストの高感度化
4.EUVリソグラフィにおけるポジ型レジストの性能向上を狙ったレジスト評価装置
　4.1 1X nm級レジストの性能評価
　4.2 アウトガス低減とカーボンコンタミネーション評価

第2節　ネガ型画像形成プロセスとレジスト材料
1.ネガ型画像形成プロセスの利点と画像形成原理
2.ネガトーン現像プロセスにおけるレジストの溶解挙動と微細パターン形成例
3.ネガトーン現像プロセス用材料設計
4.ネガトーン現像プロセスの量産適用性
　4.1 エッチング耐性
　4.2 パターン欠陥性能及びパターン寸法均一性
　4.3 リソグラフィー性能

第3節　化学増幅型レジストの特性およびプロセスにおける特性向上
1.化学増幅型レジストとは
　1.1 化学増幅型レジストについて
　1.2 化学増幅型レジスト材料
2.化学増幅型レジストの用途
3.化学増幅型レジストの特性
　3.1 環境要因について
　3.2 基板要因について
　3.3 塗布、プリベーク処理について
　3.4 露光について
　3.5 PEB処理について
　3.6 現像プロセスについて
4.プロセスによる特性向上
　4.1 限界解像について
　4.2 パターン倒れの改善について
　4.3 欠陥について
5.今後の発展と課題
　5.1 さらなる微細化へ
　5.2 他用途への展開

第11章　新規プロセス向けレジストの特性およびプロセスにおける性能向上
第1節　液浸用材料の特性およびプロセスにおける性能向上
1.液浸用トップコート材
　1.1 液浸用トップコート材に求められる性能
　　1.1.1 レジスト成分の溶出抑制
　　1.1.2 高速なスキャン特性の提供
　　1.1.3 欠陥の低減
　1.2 32nm世代以降用のトップコート材
2.液浸用専用レジスト
　2.1 液浸用専用レジストに求められる特性
　　2.1.1 レジストからの溶出抑制
　　2.1.2 高速なスキャン特性の提供
　　2.1.3 欠陥の低減
　2.2 液浸専用レジストの今後
3.ダブルパターニングレジスト
　3.1 ダブルパターニングプロセス
　3.2 フリージングプロセス

第2節　EUVレジストの特性およびプロセスにおける性能向上
1.EUV露光プロセスに特徴的な材料への課題
2.EUVレジストプロセスにおける化学反応の特徴
3.EUVレジスト材料における解像力向上技術
4.EUVレジスト材料及びプロセスにおけるパターンラフネス低減技術
5.EUVレジストプロセスにおけるパターン倒れ抑制技術

第3節　EBレジストの特性
1.ベース樹脂の設計 −部分修飾によるレジスト特性の制御と最適化−
　1.1 ベース樹脂の設計指針
　1.2 tBOC-PVPのtBOC化率とレジストの溶解速度および感度との相関
　1.3 tBOC-PVPのtBOC化率とレジスト解像度との相関
2．溶解抑制剤の設計（その1）-未露光部の溶解抑制によるレジスト高解像度化−
　2.1 溶解抑制剤の設計指針
　2.2 プロセス条件の最適化
　2.3 フェノール系溶解抑制剤の融点と未露光部の溶解速度との関係
　2.4　溶解抑制剤の化学構造と未露光部の溶解速度との関係
　2.5　カルボン酸系溶解抑制剤の分子量とレジストの溶解速度との関係
3．溶解抑制剤の設計（その2）−露光部の溶解促進によるレジスト高解像度化−
　3.1 溶解促進剤の設計指針
　3.2 溶解促進剤のpKaと膜の溶解速度との関係
　3.3 溶解抑制剤の化学構造とレジスト特性との関係
4．酸発生剤の設計−レジスト高感度化−
　4.1 酸発生剤の設計指針
　4.2 レジスト感度の酸発生剤濃度依存性
　4.3 酸発生剤の種類とレジスト感度との相関
5．高感度・高解像度レジストの開発

第12章　レジストおよびレジスト材料に関するQ&A
1.微細化に伴うレジストの課題、解決策は？
　1.1 LER、LWR
　1.2 パターン倒れ
　1.3 その他の課題
2.レジスト液の品質や保存安定性の判断の仕方及びその方法
3.レジスト液リサイクル、再利用の課題は？
4.基板との密着性の課題を解決する方法

第13章　レジスト応用プロセスにおける各工程の最適化
第1節　レジスト薄膜化と多層レジストプロセス
1.薄膜レジストプロセス
2.デュアルダマシンプロセス
3.多層レジストプロセス

第2節　多層レジスト−ハーフトーンマスク用多層レジスト技術−(ミキシング問題を含む)
1.ハーフトーンマスク用多層レジスト技術
　1.1 ハーフトーンマスクを用いたリソグラフィ工程の概略とその問題点
　1.2 2層レジスト技術による問題解決
2.疎水性レジスト／疎水性レジストからなる2層レジストの感度曲線とミキシング問題
3.疎水性レジスト／親水性レジストからなる2層レジストの感度曲線とミキシング問題

第14章　レジスト応用事例におけるプロセス最適化
第1節　MEMSデバイス用レジストプロセスの最適化
1.各種レジスト
2.レジスト塗布
3.露光
4.レジストプロセス

第2節　プリント配線板用レジストプロセスの最適化
1.プリント配線板用ドライフィルムについて
2.ドライフィルムの性能を引き出す製造プロセス
　2.1 整面工程
　2.2 ラミネーション工程
　2.3 露光工程
　2.4 現像工程
　2.5 エッチング工程
　2.6 剥離工程
3.最適化を実現する、最新のドライフィルム製品
　3.1 マザーボード用ドライフィルム
　3.2 サブストレート　セミアディティブ用ドライフィルム
　3.3 ダイレクトイメージング（DI）用ドライフィルム
　　3.3.1 ダイレクトイメージング（DI）用途とは
　　3.3.2 DI露光に求められるドライフィルムレジストの設計
　　3.3.3 ダイレクトイメージング用の最新製品
　3.4 ニッケル・金めっき用ドライフィルム
　　3.4.1 ニッケル・金めっき用途とは
　　3.4.2 無電解ニッケル・金めっき用途に求められるドライフィルムレジストの設計
4.今後のドライフィルム技術について

第3節　LCDカラーフィルター用顔料分散レジストの要求特性とプロセスの最適化における材料設計
1.カラーフィルター（CF）用材料に求められる特性
2.CF材料の構成成分とその役割設計
　2.1 バインダー樹脂ならびに多官能アクリルモノマー
　　2.1.1 アルカリ現像性バインダー樹脂の構造
　　　2.1.1.1 分子構造の均一性と分子量／分子量分布との連関4）
　　　2.1.1.2 光架橋官能基の導入
　　　2.1.1.3 バインダー樹脂の主鎖構造
　　2.1.2 フォトリソグラフィー特性
　　　2.1.2.1 露光部分の設計−架橋不溶化の設計−
　　　2.1.2.2 未露光部分の設計−相溶性とアルカリ現像性の設計−
　　2.1.3 塗膜特性の設計
　2.2 着色成分ならびに光開始剤
　　2.2.1 顔料分散RGBインキ
　　2.2.2 ブラックレジスト
　2.3 溶剤ならびに添加剤
　　2.3.1 スリットノズルコーティングならびに真空乾燥9）
　　2.3.2 インクジェット印刷

第4節　光ディスク原盤用レジストプロセスの最適化
1.光ディスクと作成プロセス
　1.1 Blu-ray discとは
　1.2 Blu-ray discのマスタリング（PTMマスタリング）
　1.3 後プロセスとのマッチング
2.PTMレジストの基本特性とその構造
　2.1 露光と記録原理
　2.2 レジスト構造
3.実際のレジスト例とその露光方法
　3.1 ROM用レジストと露光
　3.2 記録ディスク用レジストと露光